Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	120 at 250 mA, 1 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30 at 250 mA, 1 VDC

7 880 ₽

– +

Бонус: 157.6 !

Бонусная программа

Итого: 7 880 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	120 at 250 mA, 1 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30 at 250 mA, 1 VDC
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора	4 A
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	400 mV
pd - рассеивание мощности	25 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
размер фабричной упаковки	100
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microchip / Microsemi
упаковка	Tray
упаковка / блок	TO-66-2
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

Jan2N3740