Jan2N3700, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: Jan2N3700
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip Jan2N3700, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.338
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
1 240
+
Бонус: 24.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BJTs
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.338
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 200 C
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)140 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток1 A
партномер8005439616
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки358
rohsN
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrochip / Microsemi
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-18-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки2:17:50
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль