Jan2N3501

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Вес и габариты
base product number2N3501 ->
current - collector cutoff (max)10ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)300mA
3 050
+
Бонус: 61 !
Бонусная программа
Итого: 3 050
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Вес и габариты
base product number2N3501 ->
current - collector cutoff (max)10ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)300mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 10V
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора300 mA
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)150 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.150 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
notificationQPL or Military Specs are for reference only. Part
operating temperature-65В°C ~ 200В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1W
размер фабричной упаковки1
reach statusREACH Unaffected
rohsN
rohs statusRoHS non-compliant
seriesMilitary, MIL-PRF-19500/366 ->
supplier device packageTO-39 (TO-205AD)
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаMicrosemi
transistor typeNPN
упаковкаBulk
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 15mA, 150mA
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)150V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль