Jan2N2369A, Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: Jan2N2369A
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip Jan2N2369A, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
1 240
+
Бонус: 24.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:15 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:40 at 10 mA, 350 VDC
dc current gain hfe max:120 at 10 mA, 350 VDC
emitter- base voltage vebo:4.5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Microchip
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package/case:TO-18-3
packaging:Bulk
партномер8004670931
pd - power dissipation:360 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки2:18:12
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль