Name: IXXH110N65C4, Транзистор БТИЗ, 650В 234A 880Вт TO247AD
Brand: Ixys Corporation
SKU: IXXH110N65C4

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Ixys IXXH110N65C4, Транзистор БТИЗ, 650В 234A ...

Подробное описание

2 960 ₽

– +

Бонус: 59.2 !

Бонусная программа

Итого: 2 960 ₽

Купить

Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistorsIGBT PT 650V 234A 880W Through Hole TO-247 (IXXH)

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	06.01.2024
Информация о производителе
Производитель	Ixys Corporation
Бренд	Ixys Corporation
Основные
base product number	110N65 ->
california prop 65	Warning Information
collector current	110A
current - collector (ic) (max)	234A
current - collector pulsed (icm)	600A
eccn	EAR99
gate charge	167nC
htsus	8541.29.0095
igbt type	PT
input type	Standard
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer	IXYS
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting	THT
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-247-3
партномер	8002541331
power dissipation	880W
power - max	880W
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
series	GenX4в„ў, XPTв„ў ->
supplier device package	TO-247 (IXXH)
switching energy	2.3mJ (on), 600ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c	35ns/143ns
technology	GenX4™, Trench, XPT™
test condition	400V, 55A, 2Ohm, 15V
vce(on) (max) @ vge, ic	2.35V @ 15V, 110A
voltage - collector emitter breakdown (max)	650V
Время загрузки	3:04:44

Отзывов нет

Кнопки

Теги: