IXFN80N60P3, Модуль, одиночный транзистор, 600В, 66А, SOT227B, Ugs: ±40В, 960Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFN80N60P3
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Ixys IXFN80N60P3, Модуль, одиночный транзистор ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г37.1
Информация о производителе
ПроизводительIxys Corporation
БрендIxys Corporation
8 650
+
Бонус: 173 !
Бонусная программа
Итого: 8 650
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\Transistor modules MOSFET\Semiconductors
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г37.1
Информация о производителе
ПроизводительIxys Corporation
БрендIxys Corporation
Основные
drain current66A
gate charge0.19µC
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerIXYS
on-state resistance77mΩ
партномер8002881943
power dissipation960W
technologyHiPerFET™, Polar3™
Время загрузки3:04:47
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль