IXFN66N85X, Модуль, одиночный транзистор, 850В, 65А, SOT227B, Ugs: ±40В, 860Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFN66N85X
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Ixys IXFN66N85X, Модуль, одиночный транзистор ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г37.05
Информация о производителе
ПроизводительIxys Corporation
БрендIxys Corporation
13 550
+
Бонус: 271 !
Бонусная программа
Итого: 13 550
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\Transistor modules MOSFET\Semiconductors
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г37.05
Информация о производителе
ПроизводительIxys Corporation
БрендIxys Corporation
Основные
drain current65A
gate charge230nC
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerIXYS
on-state resistance65mΩ
партномер8002649339
power dissipation830W
technologyHiPerFET™, X-Class
Время загрузки3:03:40
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль