IXFN50N120SIC, Модуль транзисторный, 47А, винтами, SOT227B, URmax 1,2кВ, винтами

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFN50N120SIC
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Ixys IXFN50N120SIC, Модуль транзисторный, 47А ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г37.46
Информация о производителе
ПроизводительIxys Corporation
БрендIxys Corporation
24 310
+
Бонус: 486.2 !
Бонусная программа
Итого: 24 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\Transistor modules MOSFET\Semiconductors
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г37.46
Информация о производителе
ПроизводительIxys Corporation
БрендIxys Corporation
Основные
drain current30A
gate charge0.1µC
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerIXYS
on-state resistance50mΩ
партномер8002661244
technologyHiPerFET™, SiC
Время загрузки3:04:10
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль