IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А 8-30кГц TO247AC

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRG7PH35UPBF
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г05.08.2024
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
530
+
Бонус: 10.6 !
Бонусная программа
Итого: 530
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
IGBT транзисторыКомпания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс. Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г05.08.2024
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
categoryDiscrete Semiconductor Products
current - collector (ic) (max)55A
current - collector pulsed (icm)60A
familyIGBTs-Single
gate charge85nC
igbt typeTrench
input typeStandard
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
максимальная частота переключения, кгц30
максимальный ток кэ при 100 гр. с,a35
максимальный ток кэ при 25 гр. с,a55
мощность макс.,вт210
mounting typeThrough Hole
online catalogStandard IGBTs
package / caseTO-247-3
packagingTube
партномер8020204142
pcn assembly/originIGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013IGBT Wafer Fab Change 08/Nov/2013
pcn packagingPackage Drawing Update 19/Aug/2015
power - max210W
product training modulesIGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)
reverse recovery time (trr)-
series-
standard package25
supplier device packageTO-247AC
switching energy1.06mJ(on), 620µJ(off)
test condition600V, 20A, 10 Ohm, 15V
управляющее напряжение,в6
vce(on) (max) @ vge, ic2.2V @ 15V, 20A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
Время загрузки3:24:22
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль