IRFP4368PBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Infineon
Основные
ПроизводительInfineon
Корпус
число контактов3
390
+
Бонус: 7.8 !
Бонусная программа
Итого: 390
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Основные
ПроизводительInfineon
Корпус
число контактов3
continuous drain current (id) @ 25в°c195A
диапазон рабочих температур-55…+175 С
длина15.87мм
Высота 20.7 мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+175 °C
максимальное напряжение сток-исток75 V
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности520 Вт
максимальное сопротивление сток-исток2 MΩ
максимальный непрерывный ток стока350 А
материал транзистораКремний
maximum gate threshold voltage4V
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage2V
мощностьрассеиваемая(Pd)-520 Вт
msl(уровень чувствительности к влажности)1
напряжениепороговое затвора(Vgs th)-1.8 В
номер каналаПоднятие
описание75V, 195A N-Channel MOSFET
power dissipation-max (ta=25в°c)520W
размеры15.87 x 5.31 x 20.7мм
rds on - drain-source resistance1.85mО© @ 195A,10V
серияHEXFET
сопротивлениесток-исток открытого транзистора(Rds)-1.46 мОм
способ монтажаThrough Hole
типичная входная емкость при vds19230 пФ при 50 В
типичное время задержки включения43 нс
типичное время задержки выключения170 ns
типичный заряд затвора при vgs380 нКл при 10 В
тип каналаN
тип корпусаTO-247AC
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
transistor configurationОдинарный
transistor polarityN Channel
ТипМОП-Транзистор, кремниевый, 1 N-канал
упаковкаTUBE, 25 шт.
vds - drain-source breakdown voltage75V
вес, г7
vgs - gate-source voltage4V @ 250uA
Ширина5.31 мм
зарядзатвора(Qg)-380 нКл
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль