IMX25T110

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm IMX25T110
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0663
Высота1.1 mm
Информация о производителе
ПроизводительRohm
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 20V 0.3A 6PIN
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0663
Высота1.1 mm
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
base product numberIMX25 ->
collector- base voltage vcbo50 V
collector-emitter saturation voltage50 mV
collector- emitter voltage vceo max20 V
configurationDual
continuous collector current300 mA
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)300mA
dc collector/base gain hfe min820
dc current gain hfe max2700
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce820 @ 4ma, 2V
длина2.9 mm
другие названия товара №IMX25
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo25 V
factory pack quantity3000
frequency - transition35MHz
gain bandwidth product ft35 MHz
height1.1 mm
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.2700
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)820
конфигурацияDual
length2.9 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.3 A
manufacturerROHM Semiconductor
maximum dc collector current0.3 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)25 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер50 mV
непрерывный коллекторный ток300 mA
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSMT-6
packagingReel
партномер8001957678
pd - power dissipation300 mW
pd - рассеивание мощности300 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max300mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)35 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
seriesIMX2
серияIMX2
simulation modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
supplier device packageSMT6
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
transistor polarityNPN
transistor type2 NPN (Dual)
упаковка / блокSMT-6
vce saturation (max) @ ib, ic100mV @ 3mA, 30mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)20V
Время загрузки1:47:10
Ширина1.6 мм
width1.6 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль