IMD10AT108, Транзистор: NPN / PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IMD10AT108
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm IMD10AT108, Транзистор: NPN / PNP
Rohm
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
37
+
Бонус: 0.74 !
Бонусная программа
Итого: 37
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА, 500 мА 250 МГц, 200 МГц 300 мВт SMT6 для поверхностного монтажа
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
base product numberIMD10 ->
collector-emitter breakdown voltage50V
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA, 500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz, 200MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum dc collector current100mA,500mA
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
other related documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-74, SOT-457
партномер8014890164
pd - power dissipation300mW
power - max300mW
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)10kOhms, 100Ohms
resistor - emitter base (r2)10kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
simulation modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
supplier device packageSMT6
transistor type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки16:49:16
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль