IMB9AT110

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm IMB9AT110
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 250 МГц 300 мВт SMT6 для поверхностного монтажа
Дата загрузки19.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
base product numberIMB9AT110 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce68 @ 5mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-74, SOT-457
партномер8006650827
power - max300mW
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)10kOhms
resistor - emitter base (r2)47kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSMT6
transistor type2 PNP - Pre-Biased (Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки1:46:12
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль