IKA10N60TXKSA1, , биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Infineon Technologies

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IKA10N60TXKSA1, , биполярный транзистор с изолиров
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon IKA10N60TXKSA1, , биполярный транзистор с ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
600V, 11.7A, 30W IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
КорпусTO-220F
диапазон рабочих температур-40…+175 °С
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
максимально допустимое напряжениеколлектор-эмиттер(VCEO)-600 V; напряжение затвор-эмиттер-20 V
максимальный токколлектора(Iк max)-11.7 А
мощностьрассеиваемая(Pd)-30 Вт
напряжениенасыщения коллектор-эмиттер-1.5 V
партномер8007866971
способ монтажаThrough Hole
ток утечкизатвор-эмиттер-100 nA
ТипIGBT
упаковкаTUBE, 50 шт.
времязадержки включения/выключения-12/215 нс
Время загрузки3:26:53
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль