IGW50N65F5FKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 80А, 270Вт, PG-TO247-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IGW50N65F5FKSA1
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Вес и габариты
automotiveNo
channel typeN
configurationSingle
1 040
+
Бонус: 20.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 040
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Вес и габариты
automotiveNo
channel typeN
configurationSingle
другие названия товара №IGW50N65F5 SP000973426
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
конфигурацияSingle
lead shapeThrough Hole
максимальная рабочая температура+ 175 C
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
maximum collector-emitter voltage (v)650
maximum continuous collector current (a)80
maximum gate emitter leakage current (ua)0.1
maximum gate emitter voltage (v)±20
maximum operating temperature (°c)175
maximum power dissipation (mw)305000
минимальная рабочая температура40 C
minimum operating temperature (°c)-40
mountingThrough Hole
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c80 A
packagingTube
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности305 W
pin count3
подкатегорияIGBTs
ppapNo
размер фабричной упаковки240
серияTRENCHSTOP 5 F5
standard package nameTO-247
supplier packageTO-247
tabTab
технологияSi
тип продуктаIGBT Transistors
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
торговая маркаInfineon Technologies
typical collector emitter saturation voltage (v)1.6
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
вес, г6.16
вид монтажаThrough Hole
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль