IGW20N60H3, Транзистор БТИЗ, 600В, 20А, 170Вт, PG-TO247-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IGW20N60H3
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon IGW20N60H3, Транзистор БТИЗ, 600В, 20А ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г6.16
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
1 120
+
Бонус: 22.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
IGBT Gate Drives with Murata DC-DC Converters IGBTs are commonly used in high power inverter and converter circuits and can require significant isolated gate drive power to switch optimally. Small isolated DC/DC converters can provide that power. The same considerations apply in principal to gate drives for silicon, silicon carbide and gallium nitride MOSFETs.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г6.16
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
collector-emitter saturation voltage:1.95 V
collector- emitter voltage vceo max:600 V
configuration:Single
continuous collector current at 25 c:40 A
factory pack quantity: factory pack quantity:240
gate-emitter leakage current:100 nA
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Infineon
maximum gate emitter voltage:-20 V, +20 V
maximum operating temperature:+175 C
minimum operating temperature:-40 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-247-3
packaging:Tube
партномер8003950796
part # aliases:IGW2N6H3XK SP000852238 IGW20N60H3FKSA1
pd - power dissipation:170 W
product category:IGBT Transistors
product type:IGBT Transistors
series:HighSpeed 3
subcategory:IGBTs
technology:Si
tradename:TRENCHSTOP
Время загрузки3:16:42
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль