HN4A56JU(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT USV PLN TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HN4A56JU(TE85L,F)
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN4A56JU(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTBipolar TransistorsToshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:100 mV
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Dual
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:60 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Toshiba
maximum dc collector current:150 mA
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:SMD/SMT
партномер8004639039
pd - power dissipation:200 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки23:57:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль