Name: HN3C10FUTE85LF
Brand: Toshiba

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba HN3C10FUTE85LF

Подробное описание

180 ₽

– +

Бонус: 3.6 !

Бонусная программа

Итого: 180 ₽

Купить

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - RFРЧ-транзистор 2 NPN (двойной) 12 В 80 мА 7 ГГц 200 мВт Поверхностный монтаж US6

Дата загрузки	12.02.2024
Информация о производителе
Производитель	Toshiba
Бренд	Toshiba
Основные
base product number	HN4B01 ->
current - collector (ic) (max)	80mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	80 @ 20mA, 10V
eccn	EAR99
frequency - transition	7GHz
gain	11.5dB
htsus	8541.21.0095
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
noise figure (db typ @ f)	1.1dB @ 1GHz
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
партномер	8007042404
power - max	200mW
rohs status	RoHS Compliant
supplier device package	US6
transistor type	2 NPN (Dual)
voltage - collector emitter breakdown (max)	12V
Время загрузки	23:50:09

Отзывов нет

Кнопки

Теги: