Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
Вес и габариты
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
1200
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
конфигурация
Dual
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
300 mA
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
25 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
42 mV
pd - рассеивание мощности
200 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
30 MHz
размер фабричной упаковки
3000
серия
HN1C03
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Toshiba
упаковка / блок
US-6
вид монтажа
SMD/SMT
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26