HN1C01FU-Y,LF
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysБиполярный (BJT) транзисторный массив 2 NPN (двойной) 50 В 150 мА 80 МГц 200 мВт Поверхностный монтаж US6
| Дата загрузки | 12.02.2024 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Toshiba |
| Бренд | Toshiba |
| Основные | |
| base product number | RN1103 -> |
| current - collector cutoff (max) | 100nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 150mA |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 120 @ 2mA, 6V |
| eccn | EAR99 |
| frequency - transition | 80MHz |
| htsus | 8541.21.0095 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 400 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| конфигурация | Dual |
| квалификация | AEC-Q101 |
| максимальная рабочая температура | + 125 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 60 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
| operating temperature | 125В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| партномер | 8007117017 |
| pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power - max | 200mW |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 80 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rohs status | RoHS non-compliant |
| серия | HN1C01 |
| supplier device package | US6 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Toshiba |
| transistor type | 2 NPN (Dual) |
| упаковка / блок | US-6 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 50V |
| Время загрузки | 23:50:15 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
