Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	400 at 2 mA
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120

Все характеристики

84 ₽

– +

Бонус: 1.68 !

Бонусная программа

Итого: 84 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	400 at 2 mA
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
конфигурация	Dual
максимальная рабочая температура	+ 125 C
максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
pd - рассеивание мощности	200 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	80 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	HN1C01
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	SOT-363-6
вес, г	0.0075
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

HN1C01FU-GR,LF