HN1B04FU-Y,LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
67
+
Бонус: 1.34 !
Бонусная программа
Итого: 67
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 125 C
максимальный постоянный ток коллектора150 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V, - 50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.1 V
непрерывный коллекторный ток150 mA
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz, 120 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияHN1B04FU
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSOT-363-6
вес, г0.0068
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль