Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Подробное описание

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	50V
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	400

77 ₽

– +

Бонус: 1.54 !

Бонусная программа

Итого: 77 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	50V
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
конфигурация	Dual
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
maximum dc collector current	150mA
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	60 V, - 50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
pd - power dissipation	100mW
pd - рассеивание мощности	100 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	80 MHz, 80 MHz
размер фабричной упаковки	4000
серия	HN1B04
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Toshiba
transistor type	NPN,PNP
упаковка / блок	SOT-563-6
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Кнопки

HN1B04FE-GR,LF