HN1B01FDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 50 В, 200 мА, 380 мВт, 200 hFE, SC-74

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HN1B01FDW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor HN1B01FDW1T1G, Массив биполярных ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
87
+
Бонус: 1.74 !
Бонусная программа
Итого: 87
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJTБиполярные транзисторы - BJT 200mA 60V Dual Complementary
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина3 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.15 V
непрерывный коллекторный ток0.2 A
партномер8654974135
pd - рассеивание мощности380 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
размер фабричной упаковки3000
серияHN1B01FDW1
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSC-74-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:24:59
Ширина1.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль