HN1B01FDW1T1G, Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HN1B01FDW1T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor HN1B01FDW1T1G, Bipolar Transistors - BJT ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0134
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 200mA 60V Dual Complementary
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0134
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина3 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.15 V
непрерывный коллекторный ток0.2 A
партномер8006356234
pd - рассеивание мощности380 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
размер фабричной упаковки3000
серияHN1B01FDW1
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSC-74-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:12:45
Ширина1.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль