Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT ES6 PLN

Подробное описание

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	50V
длина	1.6 mm
Высота	0.55 мм

17 ₽

– +

Бонус: 0.34 !

Бонусная программа

Итого: 17 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT ES6 PLN

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	50V
длина	1.6 mm
Высота	0.55 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
квалификация	AEC-Q101
максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
maximum dc collector current	150mA
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.1 V
непрерывный коллекторный ток	150 mA
pd - power dissipation	100mW
pd - рассеивание мощности	100 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	80 MHz
размер фабричной упаковки	4000
серия	HN1A01
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Toshiba
transistor type	2 PNPпј€Doubleпј‰
упаковка / блок	ES6-6
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	1.2 мм

Отзывов нет

Кнопки

HN1A01FE-Y,LF