HN1A01FE-Y,LF
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT ES6 PLN
| Вес и габариты | |
| collector-emitter breakdown voltage | 50V |
| длина | 1.6 mm |
| Высота | 0.55 мм |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 400 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| квалификация | AEC-Q101 |
| максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| maximum dc collector current | 150mA |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
| непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| pd - power dissipation | 100mW |
| pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 80 MHz |
| размер фабричной упаковки | 4000 |
| серия | HN1A01 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Toshiba |
| transistor type | 2 PNPпј€Doubleпј‰ |
| упаковка / блок | ES6-6 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Ширина | 1.2 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
