HFA3127RZ, RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HFA3127RZ
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Renesas HFA3127RZ, RF Bipolar Transistors W/ANNEAL ...
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительRenesas Technology
БрендRenesas Technology
3 510
+
Бонус: 70.2 !
Бонусная программа
Итого: 3 510
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительRenesas Technology
БрендRenesas Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:12 V
collector- emitter voltage vceo max:8 V
configuration:Quint
continuous collector current:0.065 A
dc collector/base gain hfe min:40
dc current gain hfe max:40 at 10 mA at 2 V
emitter- base voltage vebo:5.5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:100
gain bandwidth product ft:8000 MHz(Typ)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Renesas Electronics
maximum dc collector current:0.065 A
maximum operating temperature:+125 C
minimum operating temperature:-55 C
moisture sensitive:Yes
operating frequency:8000 MHz(Typ)
package / case:QFN EP
packaging:Tube
партномер8004657165
pd - power dissipation:150 mW
product category:RF Bipolar Transistors
product type:RF Bipolar Transistors
series:HFA3127
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor type:Bipolar
type:RF Bipolar Small Signal
Время загрузки23:26:18
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль