HE8050G-D-AE3-R, 100nA 25V 350mW 160@100mA,1V 1.5A 100MHz 500mV@800mA,80mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HE8050G-D-AE3-R
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) UTC HE8050G-D-AE3-R, 100nA 25V 350mW 160@100mA,1V ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительUnisonic Technologies Co., Ltd.
БрендUnisonic Technologies Co., Ltd.
13
+
Бонус: 0.26 !
Бонусная программа
Итого: 13
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.04
Информация о производителе
ПроизводительUnisonic Technologies Co., Ltd.
БрендUnisonic Technologies Co., Ltd.
Основные
collector-emitter breakdown voltage25V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum dc collector current1.5A
партномер8015906598
pd - power dissipation350mW
transistor typeNPN
Время загрузки23:15:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль