HD1750FX, Транзисторы, диоды,управляемые ключи, сборки и модули ISOВтATT218FX

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HD1750FX
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage +800Vceo Max.
Вес и габариты
base product numberHD1750 ->
current - collector cutoff (max)200ВµA
current - collector (ic) (max)24A
760
+
Бонус: 15.2 !
Бонусная программа
Итого: 760
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage +800Vceo Max.
Вес и габариты
base product numberHD1750 ->
current - collector cutoff (max)200ВµA
current - collector (ic) (max)24A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce6.5 @ 12A, 5V
длина15.7 mm
eccnEAR99
Высота 16.5 мм
htsus8541.29.0095
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора24 A
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)10 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.800 V
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseISOWATT218FX
pd - рассеивание мощности75000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max75W
размер фабричной упаковки300
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияHD1750FX
supplier device packageISOWATT-218FX
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor typeNPN
упаковкаTube
упаковка / блокISOWATT-218-3
vce saturation (max) @ ib, ic3V @ 3A, 12A
вес, г7.45
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)800V
Ширина5.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль