GES6016 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 70Vcbo 70Vces 60Vces 5.0Vebo 625mW

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: GES6016 PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central GES6016 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
320
+
Бонус: 6.4 !
Бонусная программа
Итого: 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:70 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:425 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:800 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
packaging:Bulk
партномер8005050173
pd - power dissipation:625 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:22:43
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль