FZT957TA, Bipolar Transistors - BJT PNP HighCt HighV

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT957TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT957TA, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTTrans GP BJT PNP 300V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
частота перехода ft85МГц
collector- base voltage vcbo:330 V
collector-emitter saturation voltage:170 mV
collector emitter voltage max300В
collector- emitter voltage vceo max:300 V
configurationSingle Dual Collector
configuration:Single
continuous collector current
continuous collector current:-1 A
dc collector/base gain hfe min:90 at-1 A, -10 V
dc current gain hfe max:300 at-500 mA, -10 V
dc current gain hfe min90hFE
dc усиление тока hfe90hFE
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo:7 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:85 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:Diodes Incorporated
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.15@300mA@1A
maximum collector base voltage300 V
maximum collector base voltage (v)300
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.1@10mA@100mA|0.165@100mA@500mA|0.24@300mA@1A
maximum collector emitter voltage300 V
maximum collector-emitter voltage (v)300
maximum dc collector current1 A
maximum dc collector current:1 A
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage6 V
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating frequency85 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation3 W
maximum power dissipation (mw)3000
maximum transition frequency (mhz)85(Typ)
minimum dc current gain100
minimum operating temperature:-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package/case:SOT-223-4
package typeSOT-223
packagingTape and Reel
партномер8004674869
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation:3 W
pin count3+Tab
полярность транзистораPNP
power dissipation3Вт
ppapNo
product categoryBipolar Power
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:FZT957
standard package nameSOT
стиль корпуса транзистораSOT-223
subcategory:Transistors
supplier packageSOT-223
tabTab
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
typePNP
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки23:58:48
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль