FZT956TA, Транзистор: PNP, биполярный, 200В, 2А, 3Вт, SOT223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT956TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT956TA, Транзистор: PNP, биполярный, 200В ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.228
Высота1.65 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP High Current
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.228
Высота1.65 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberFZT956 ->
частота перехода ft110МГц
collector emitter voltage max200В
continuous collector current
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)2A
dc current gain hfe min50hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 1A, 5V
dc усиление тока hfe50hFE
длина6.7 mm
eccnEAR99
frequency - transition110MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.100
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
квалификация-
линейка продукции-
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5 A
maximum collector base voltage220 V
maximum collector emitter voltage-200 V
maximum dc collector current-2 A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency110 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation3 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)220 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер275 mV
непрерывный коллекторный ток2 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package typeSOT-223(SC-73)
партномер8021863688
pd - рассеивание мощности3 W
pin count3+Tab
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation3Вт
power - max3W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)110 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFZT956
стиль корпуса транзистораSOT-223
supplier device packageSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic370mV @ 300mA, 3A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)200V
Время загрузки0:09:29
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль