FZT951TA, Diodes Inc FZT951TA PNP Transistor, 5 A, 60 V, 3 + Tab-Pin SOT-223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT951TA
Биполярные транзисторы - BJT PNP HighCt Low Sat
Вес и габариты
base product numberFZT951 ->
collector-emitter breakdown voltage60V
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
85
+
Бонус: 1.7 !
Бонусная программа
Итого: 85
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP HighCt Low Sat
Вес и габариты
base product numberFZT951 ->
collector-emitter breakdown voltage60V
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 2A, 1V
длина6.7 mm
eccnEAR99
frequency - transition120MHz
Высота 1.65 мм
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора15 A
maximum dc collector current5A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
pd - power dissipation3W
pd - рассеивание мощности3 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max3W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFZT951
supplier device packageSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic460mV @ 500mA, 5A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль