FZT869TA, 50nA 25V 3W 100@20A,2V 7A 100MHz 350mV@6.5A,150mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT869TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT869TA, 50nA 25V 3W 100@20A,2V 7A 100MHz ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г3
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный (BJT) транзистор NPN 25V 7A 100MHz 3W Surface Mount SOT-223
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г3
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberFZT869 ->
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter breakdown voltage25V
collector-emitter saturation voltage:350 mV
collector- emitter voltage vceo max:25 V
configuration:Single
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)7A
dc collector/base gain hfe min:40 at 20 A, 1 V
dc current gain hfe max:300
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 1A, 1V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
frequency - transition100MHz
gain bandwidth product ft:100 MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector base voltage60 V
maximum collector emitter voltage25 V
maximum dc collector current7A
maximum dc collector current:7 A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation3 W
minimum dc current gain300
minimum operating temperature:-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package / case:SOT-223-4
package typeSOT-223
партномер8017601970
pd - power dissipation3W
pd - power dissipation:3 W
pin count3+Tab
power - max3W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
series:FZT869
subcategory:Transistors
supplier device packageSOT-223
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic350mV @ 150mA, 6.5A
voltage - collector emitter breakdown (max)25V
Время загрузки0:05:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль