FZT857TA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT857TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT857TA, Bipolar Transistors - BJT NPN High ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:350 V
collector-emitter saturation voltage:345 mV
collector- emitter voltage vceo max:300 V
configuration:Single
continuous collector current:3.5 A
dc collector/base gain hfe min:15 at 2 A, 10 V
dc current gain hfe max:100
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:80 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector base voltage350 V
maximum collector emitter voltage300 V
maximum dc collector current3.5 A
maximum dc collector current:3.5 A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency80 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation3 W
minimum dc current gain100
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-223-4
package typeSOT-223
партномер8004841736
pd - power dissipation:3 W
pin count3+Tab
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:FZT857
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки0:05:30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль