FZT855TA, Транзистор: NPN, биполярный, 150В, 5А, 3Вт, SOT223
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT855TA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - BJT NPN High Current
| Дата загрузки | 23.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.15 |
| Высота | 1.65 mm |
| Высота | 1.65 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| automotive | No |
| base product number | FZT855 -> |
| collector- base voltage vcbo | 250 V |
| collector-emitter saturation voltage | 355 mV |
| collector- emitter voltage vceo max | 150 V |
| configuration | Single Dual Collector |
| continuous collector current | 5 A |
| current - collector cutoff (max) | 50nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 5A |
| dc collector/base gain hfe min | 15 at 5 A, 5 V |
| dc current gain hfe max | 100 |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 1A, 5V |
| длина | 6.7 mm |
| eccn | EAR99 |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 7 V |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| factory pack quantity | 1000 |
| frequency - transition | 90MHz |
| gain bandwidth product ft | 90 MHz |
| hts | 8541.29.00.95 |
| htsus | 8541.29.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 100 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 at 5 A, 5 V |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.25@500mA@5A |
| maximum collector base voltage (v) | 250 |
| maximum collector cut-off current (na) | 50 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.04@5mA@100mA|0.065@50mA@500mA|0.11@100mA@1A|0.355@500mA@5A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 150 |
| maximum dc collector current | 10 A |
| maximum dc collector current (a) | 5 |
| maximum emitter base voltage (v) | 7 |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 3000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 90(Typ) |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 15@5A@5V|100@1A@5V|100@10mA@5V |
| minimum operating temperature | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 250 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 150 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 355 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| package / case | TO-261-4, TO-261AA |
| package height | 01.06.2024 |
| package length | 06.05.2024 |
| package width | 03.05.2024 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8002553127 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 3 W |
| pd - рассеивание мощности | 3 W |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power - max | 3W |
| product category | Bipolar Power |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 90 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| reach status | REACH Affected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | FZT855 |
| серия | FZT855 |
| standard package name | SOT |
| subcategory | Transistors |
| supplier device package | SOT-223 |
| supplier package | SOT-223 |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-223-4 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 355mV @ 500mA, 5A |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 150V |
| Время загрузки | 0:05:34 |
| Ширина | 3.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![Светодиод красный 5x9мм, с окрашенной линзой и углом 35град СД 5 x 9 \кр\ 8\ 35\кр мат\BL-B4534-L\](/wa-data/public/shop/products/69/73/17369/images/22995/22995.300x0.jpg "Светодиод красный 5x9мм, с окрашенной линзой и углом 35град СД 5 x 9 \кр\ 8\ 35\кр мат\BL-B4534-L\")
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
