FZT853TA, Транзистор: NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT853TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT853TA, Транзистор: NPN
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный (BJT) транзистор NPN 100V 6A 130MHz 3W Surface Mount SOT-223
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberFZT853 ->
collector-emitter breakdown voltage100V
current - collector cutoff (max)10nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)6A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 2A, 2V
eccnEAR99
frequency - transition130MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage200 V
maximum collector emitter voltage100 V
maximum dc collector current6A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency130 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation3 W
minimum dc current gain100
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package typeSOT-223
партномер8009226146
pd - power dissipation3W
pin count3+Tab
power - max3W
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-223
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic340mV @ 500mA, 5A
voltage - collector emitter breakdown (max)100V
Время загрузки0:05:38
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль