FZT851TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT851TA
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.85
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 60V 6A 130MHz 3W Surface Mount SOT-223
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.85
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberFZT851 ->
collector- base voltage vcbo150 V
collector-emitter saturation voltage375 mV
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
continuous collector current6 A
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)6A
dc collector/base gain hfe min25 at 10 A, 1 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 2A, 1V
длина6.7 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity1000
frequency - transition130MHz
gain bandwidth product ft130 MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25 at 10 A, 1 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора20 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum collector base voltage150 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum dc collector current20 A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation3 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100
minimum operating temperature-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)150 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер375 mV
непрерывный коллекторный ток6 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package typeSOT-223
packagingCut Tape or Reel
партномер8006537190
pd - power dissipation3 W
pd - рассеивание мощности3 W
pin count3+Tab
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max3W
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)130 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesFZT851
серияFZT851
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic375mV @ 300mA, 6A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки0:05:42
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль