FZT849TA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Ct Low Sat
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT849TA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
| Дата загрузки | 23.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.16 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo | 80 V |
| collector- base voltage vcbo: | 80 V |
| collector-emitter saturation voltage | 350 mV |
| collector-emitter saturation voltage: | 350 mV |
| collector- emitter voltage vceo max | 30 V |
| collector- emitter voltage vceo max: | 30 V |
| configuration | Single |
| configuration: | Single |
| continuous collector current | 7 A |
| continuous collector current: | 7 A |
| dc collector/base gain hfe min | 30 at 20 A, 2 V |
| dc collector/base gain hfe min: | 30 at 20 A, 2 V |
| dc current gain hfe max | 100 |
| dc current gain hfe max: | 100 |
| emitter- base voltage vebo | 6 V |
| emitter- base voltage vebo: | 7 V |
| factory pack quantity | 1000 |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 1000 |
| gain bandwidth product ft | 100 MHz |
| gain bandwidth product ft: | 100 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| manufacturer: | Diodes Incorporated |
| maximum collector base voltage | 80 V |
| maximum collector emitter voltage | 30 V |
| maximum dc collector current | 20 A |
| maximum dc collector current: | 7 A |
| maximum emitter base voltage | 6 V |
| maximum operating frequency | 100 MHz |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum power dissipation | 3 W |
| minimum dc current gain | 100 |
| minimum operating temperature | -55 C |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting style: | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | SOT-223-4 |
| package / case: | SOT-223-4 |
| package type | SOT-223 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| партномер | 8004841733 |
| pd - power dissipation | 3 W |
| pd - power dissipation: | 3 W |
| pin count | 3+Tab |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| series | FZT849 |
| series: | FZT849 |
| subcategory | Transistors |
| subcategory: | Transistors |
| technology: | Si |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity | NPN |
| transistor polarity: | NPN |
| transistor type | NPN |
| Время загрузки | 0:06:01 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
