FZT792ATA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP High gain
Вес и габариты
base product numberFZT792 ->
collector-emitter breakdown voltage70V
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
88
+
Бонус: 1.76 !
Бонусная программа
Итого: 88
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP High gain
Вес и габариты
base product numberFZT792 ->
collector-emitter breakdown voltage70V
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)2A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 10mA, 2V
длина6.7 mm
eccnEAR99
frequency - transition160MHz
Высота 1.65 мм
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 1
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
maximum dc collector current2A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)75 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.70 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
package / caseTO-261-4, TO-261AA
pd - power dissipation2W
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max2W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)160 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFZT792
supplier device packageSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 200mA, 2A
вес, г0.112
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)70V
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль