FZT757TA, Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT757TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT757TA, Bipolar Transistors - BJT PNP High ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный (BJT) транзистор PNP 300V 500mA 30MHz 2W Surface Mount SOT-223
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberFZT757 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce50 @ 100mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition30MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage-300 V
maximum collector emitter voltage300 V
maximum dc collector current500 mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating frequency30 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation2 W
minimum dc current gain40
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package typeSOT-223
партномер8006278320
pin count3+Tab
power - max2W
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-223
transistor configurationSingle
transistor typePNP
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 10mA, 100mA
voltage - collector emitter breakdown (max)300V
Время загрузки0:05:19
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль