FZT753TC

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT753TC
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
частота перехода ft140МГц
collector emitter voltage max100В
continuous collector current
dc current gain hfe min25hFE
dc усиление тока hfe25hFE
длина6.7 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
непрерывный коллекторный ток2 A
партномер8007519921
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation3Вт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)140 MHz
размер фабричной упаковки4000
серияFZT753
стиль корпуса транзистораSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-223-4
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:06:39
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль