FZT753TA, Trans GP BJT PNP 100V 2A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT753TA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose Транзисторы общего назначения PNP, более 1,5 А, Diodes Inc.
| Основные | |
| Производитель | DiodesZetex |
| Вес и габариты | |
| base product number | FZT753 -> |
| число контактов | 3 + Tab |
| collector-emitter breakdown voltage | 100V |
| current - collector cutoff (max) | 100nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 2A |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 500mA, 2V |
| длина | 6.7мм |
| eccn | EAR99 |
| frequency - transition | 140MHz |
| Высота | 1.65 мм |
| htsus | 8541.29.0075 |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| количество элементов на ис | 1 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая частота | 140 MHz |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| максимальное напряжение коллектор-база | 120 V |
| максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 100 В |
| максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.25 V |
| максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В |
| максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| максимальный пост. ток коллектора | 2 A |
| maximum dc collector current | 2A |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 25 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 120 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 100 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-261-4, TO-261AA |
| pd - power dissipation | 2W |
| pd - рассеивание мощности | 2 W |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| power - max | 2W |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 140 MHz |
| размеры | 1.65 x 6.7 x 3.7мм |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| reach status | REACH Affected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | FZT753 |
| supplier device package | SOT-223 |
| технология | Si |
| тип корпуса | SOT-223 |
| тип монтажа | Surface Mount |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| тип транзистора | PNP |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor configuration | Одинарный |
| transistor type | PNP |
| упаковка / блок | SOT-223-4 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 100V |
| Ширина | 3.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26