FZT751TA, Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT751TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT751TA, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
DiodesZetex
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Высота1.65мм
Информация о производителе
ПроизводительDiodesZetex
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT Транзисторы общего назначения PNP, более 1,5 А, Diodes Inc.
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.11
Высота1.65мм
Информация о производителе
ПроизводительDiodesZetex
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
число контактов3 + Tab
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter breakdown voltage60V
collector-emitter saturation voltage:450 mV
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configurationSingle Dual Collector
configuration:Single
continuous collector current:-3 A
длина6.7мм
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo:7 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:140 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество элементов на ис1
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая частота140 MHz
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение эмиттер-база5 В
максимальное напряжение коллектор-база80 V
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)60 В
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер1.25 V
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0,6 В
максимальное рассеяние мощности2 Вт
максимальный пост. ток коллектора3 A
manufacturer:Diodes Incorporated
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.25@100mA@1A
maximum collector base voltage80 V
maximum collector base voltage (v)80
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3@100mA@1A|0.6@300mA@3A
maximum collector emitter voltage-60 V
maximum collector-emitter voltage (v)60
maximum dc collector current3A
maximum dc collector current:3 A
maximum dc collector current (a)3
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating frequency140 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation2 W
maximum power dissipation (mw)3000
maximum transition frequency (mhz)140(Typ)
минимальная рабочая температура-55 °C
минимальный коэффициент усиления по постоянному току40
minimum dc current gain70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V
minimum operating temperature:-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-223-4
package typeSOT-223(SC-73)
packagingTape and Reel
партномер8004841725
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation2W
pd - power dissipation:2 W
pin count4
ppapNo
product categoryBipolar Power
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
размеры1.65 x 6.7 x 3.7мм
series:FZT751
standard package nameSOT
subcategory:Transistors
supplier packageSOT-223
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
technology:Si
тип корпусаSOT-223
тип монтажаSurface Mount
тип транзистораPNP
transistor configurationОдинарный
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
typePNP
Время загрузки0:06:44
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль