FZT751QTA, 100nA 60V 2W 150@2A,2V 3A 140MHz 450mV@3A,300mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT751QTA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.19 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| base product number | FZT751 -> |
| current - collector cutoff (max) | 100nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 3A |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 500mA, 2V |
| eccn | EAR99 |
| frequency - transition | 140MHz |
| htsus | 8541.29.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 300 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 60 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.45 V |
| непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-261-4, TO-261AA |
| партномер | 8017630721 |
| pd - рассеивание мощности | 3 W |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| power - max | 3W |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 140 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| reach status | REACH Affected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| supplier device package | SOT-223 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor type | PNP |
| упаковка / блок | SOT-223-3 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 600mV @ 300mA, 3A |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 60V |
| Время загрузки | 22:30:04 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
