FZT749TA, Diodes Inc FZT749TA PNP Transistor, 3 A, 25 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT749TA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы общего назначения PNP, более 1,5 А, Diodes Inc.
| Основные | |
| Производитель | DiodesZetex |
| Вес и габариты | |
| base product number | FZT749 -> |
| число контактов | 3 + Tab |
| collector- base voltage vcbo | -35 V |
| collector-emitter breakdown voltage | 25V |
| collector-emitter saturation voltage | -0.4 V |
| collector- emitter voltage vceo max | -25 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | -3 A |
| current - collector cutoff (max) | 100nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 3A |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 1A, 2V |
| длина | 6.7мм |
| eccn | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | -5 V |
| factory pack quantity | 1000 |
| frequency - transition | 160MHz |
| gain bandwidth product ft | 160 MHz |
| Высота | 1.65 мм |
| htsus | 8541.29.0075 |
| количество элементов на ис | 1 |
| максимальная рабочая частота | 160 МГц |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| максимальное напряжение коллектор-база | 35 V |
| максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 25 В |
| максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.25 V |
| максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
| максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| максимальный пост. ток коллектора | 3 A |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| maximum dc collector current | 3A |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 15 |
| minimum operating temperature | -55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-261-4, TO-261AA |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| pd - power dissipation | 2W |
| power - max | 2W |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| размеры | 1.65 x 6.7 x 3.7мм |
| reach status | REACH Affected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | FZT749 |
| subcategory | Transistors |
| supplier device package | SOT-223 |
| тип корпуса | SOT-223 |
| тип монтажа | Surface Mount |
| тип транзистора | PNP |
| transistor configuration | Одинарный |
| transistor polarity | PNP |
| transistor type | PNP |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 600mV @ 300mA, 3A |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 25V |
| Ширина | 3.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26