FZT655TA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT655TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT655TA, Bipolar Transistors - BJT NPN High ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.39
Высота1.65 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.39
Высота1.65 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
длина6.7 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.50
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50 at 10 mA, 5 V, 50 at 500 mA, 5 V, 20 at 1 A,
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)150 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.150 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер180 mV
непрерывный коллекторный ток1 A
партномер8004841720
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)30 MHz
размер фабричной упаковки1000
серияFZT655
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-223-4
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:09:03
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль