FZT655

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FZT655
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTrans GP BJT NPN 150V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: FZT655TA)
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo150 V
collector-emitter saturation voltage180 mV
collector- emitter voltage vceo max150 V
configurationSingle
continuous collector current1 A
dc collector/base gain hfe min50 at 10 mA at 5 V, 50 at 500 mA at 5 V, 20 at 1 A at 5 V
dc current gain hfe max50
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity1000
gain bandwidth product ft30 MHz
height1.65 mm(Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length6.7 mm(Max)
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current1 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-223-4
packagingReel
партномер8001989008
pd - power dissipation2 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesFZT655
transistor polarityNPN
Время загрузки0:09:41
width3.7 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль