FZT653TA, Транзистор: NPN, биполярный, 120В, 2А, 3Вт, SOT223
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FZT653TA
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.
| Дата загрузки | 23.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.39 |
| Высота | 1.65мм |
| Высота | 1.65 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DiodesZetex |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| aec qualified number | AEC-Q101 |
| automotive | Yes |
| base product number | FZT653 -> |
| число контактов | 3 + Tab |
| collector-emitter breakdown voltage | 100V |
| configuration | Single Dual Collector |
| current - collector cutoff (max) | 100nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 2A |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 500mA, 2V |
| длина | 6.7мм |
| eccn | EAR99 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| frequency - transition | 175MHz |
| hts | 8541.29.00.95 |
| htsus | 8541.29.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| количество элементов на ис | 1 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая частота | 175 МГц |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| максимальное напряжение коллектор-база | 120 V |
| максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 100 В |
| максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.25 V |
| максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В |
| максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| максимальный пост. ток коллектора | 2 A |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.25@100mA@1A |
| maximum collector base voltage | 120 V |
| maximum collector base voltage (v) | 120 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.3@100mA@1A|0.5@200mA@2A |
| maximum collector emitter voltage | 100 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 100 |
| maximum dc collector current | 2A |
| maximum dc collector current (a) | 2 |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 7 |
| maximum operating frequency | 175 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 2 W |
| maximum power dissipation (mw) | 3000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 175(Typ) |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 25 |
| minimum dc current gain | 25@2A@2V|70@50mA@2V|100@500mA@2V|55@1A@2V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting | Surface Mount |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 120 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 100 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.23 V |
| непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-261-4, TO-261AA |
| package height | 1.65(Max) |
| package length | 6.7(Max) |
| package type | SOT-223(SC-73) |
| package width | 3.7(Max) |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8002628959 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 2W |
| pd - рассеивание мощности | 2 W |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power - max | 2W |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 175 MHz |
| размеры | 1.65 x 6.7 x 3.7мм |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| reach status | REACH Affected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | FZT653 |
| standard package name | SOT-223 |
| supplier device package | SOT-223 |
| supplier package | SOT-223 |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| тип корпуса | SOT-223 |
| тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| тип транзистора | NPN |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor configuration | Одинарный |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-223-4 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 100V |
| Время загрузки | 0:09:03 |
| Ширина | 3.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
